Name: Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD40N02-08-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3

Artikelnummer:

SUD40N02-08-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 40A TO252

Datenblätte:

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SUD40N02-08.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SUD40N02-08-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Verlustleistung (max)	8.3W (Ta), 71W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)
Grundproduktnummer	SUD40
SUD40N02-08-E3 Einzelheiten PDF [English]	SUD40N02-08-E3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
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